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J-GLOBAL ID：200903032419662822

半導体圧力センサ

Inventor： 藤本 晴三 ,  原 京史 ,  樽谷 公昭
Applicant, Patent owner： 三菱電機株式会社
Agent (5)： 曾我 道照 ,  曾我 道治 ,  古川 秀利 ,  鈴木 憲七 ,  梶並 順
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005157154
Publication number (International publication number)：2006329929
Application date： May. 30, 2005
Publication date： Dec. 07, 2006
Summary：

【課題】被測定流体中の荷電物や外来からの電界に対して影響を受けず、感度及び正確性が確保される。【解決手段】この発明に係る半導体圧力センサは、被測定流体の圧力に応動するダイアフラム4を備えた半導体圧力センサにおいて、ダイアフラム4は、ブリッジ回路を構成するピエゾ抵抗素子7が埋設されたシリコン基板6と、被測定流体が接触する側のシリコン基板6の面に形成された電磁シールド用のシールド膜9とを備え、シールド膜9は、シリコン基板6と電気的に接続されて同電位である。【選択図】図2

Claim (excerpt)：

被測定流体の圧力に応動するダイアフラムを備えた半導体圧力センサにおいて、 前記ダイアフラムは、ブリッジ回路を構成するピエゾ抵抗素子が埋設されたシリコン基板と、前記被測定流体が接触する側の前記シリコン基板の面に形成された電磁シールド用のシールド膜とを備え、 前記シールド膜は、前記シリコン基板と電気的に接続されて同電位であることを特徴とする半導体圧力センサ。

IPC (2)：

G01L 9/00 ,  H01L 29/84

FI (2)：

G01L9/00 303Q ,  H01L29/84 B

F-Term (19)：

2F055AA40 ,  2F055BB20 ,  2F055CC02 ,  2F055DD05 ,  2F055EE14 ,  2F055FF11 ,  2F055FF38 ,  2F055GG15 ,  4M112AA01 ,  4M112BA01 ,  4M112CA01 ,  4M112CA03 ,  4M112CA04 ,  4M112CA07 ,  4M112EA04 ,  4M112EA06 ,  4M112EA07 ,  4M112EA11 ,  4M112FA20

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

• 特開昭63-250865号公報(第13図)
  
• 半導体圧力センサ及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-085641   Applicant：株式会社日立製作所, 株式会社日立カーエンジニアリング

Cited by examiner (5)

• 歪み検出センサ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-026019   Applicant：株式会社日立製作所
• 特開平4-262578
  
• 回路基板のシールド装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-057029   Applicant：株式会社東芝, 東芝エー・ブイ・イー株式会社
• 特開平4-262578
  
• 特開平4-262578