気体不純物の捕獲方法及び半導体製造装置

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：後藤洋介 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996140272
Publication number (International publication number)：1997320970
Application date： Jun. 03, 1996
Publication date： Dec. 12, 1997
Summary：

【要約】【課題】 HSG-Si膜等、ウェハー上に形成される膜の表面積増加率を向上させ得る半導体製造装置及び気体捕獲方法を提供することである。【解決手段】ウェハー上に、HSG-Si膜を形成するための反応室の内壁、及び、反応室内において、ウェハーを収容、支持するために使用されるボートに、HSG-Si膜形成に先立ち、シリコン膜をプリコートしておき、プリコートされた反応室内にウェハーを導くことにより、ウェハー上の不純物を除去した状態で、HSG-Si膜を形成する半導体製造装置及び製造方法が得られる。シリコン膜をプリコートしておくことによって、不純物としての水分、酸素、炭化水素、及び有機物を除去できる気体不純物の捕獲方法が得られる。

Claim (excerpt)：

所定の処理を行う処理系の内壁に、所定の処理に先立ち、前記内壁にシリコン膜をコーティングしておき、前記処理系における気体不純物をシリコン膜により捕獲することを特徴とする気体不純物の捕獲方法。

IPC (3)：

H01L 21/205 , H01L 27/108 , H01L 21/8242

FI (2)：

H01L 21/205 , H01L 27/10 621 Z

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

CVD装置のプラズマ・クリーニング後処理方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-090275 Applicant：株式会社東芝
特開昭59-092519
特開昭63-029522

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