プラズマ処理装置

Inventor： ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (1)：田宮寛祉
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994079514
Publication number (International publication number)：1995263428
Application date： Mar. 25, 1994
Publication date： Oct. 13, 1995
Summary：

【要約】【目的】ヘリコン波プラズマ処理においてSiO2 膜のSiに対する高選択エッチングを実現する。【構成】内部に基板保持機構19を備える真空容器12と、真空容器に付設されたプラズマ発生用チャンバ11と、チャンバの外側に配置されるアンテナ13と、アンテナに高周波電力を供給する高周波電源14を備え、真空容器内に反応性ガスを導入して基板保持機構上に保持される基板22をプラズマ処理する構成において、基板の被処理面に対してほぼ平行な方向を向いた静磁界Bを生成する磁界発生手段16a,16b がアンテナ13の周囲に設けられ、そしてアンテナは、アンテナによって発生する交番磁界が磁界発生手段により生成される磁界と平行な成分を含むように形成される。

Claim (excerpt)：

内部に基板保持機構を備える真空容器と、前記真空容器に付設されたプラズマ生成用チャンバと、前記チャンバの外側周囲に配置されるアンテナと、前記アンテナに高周波電力を供給する高周波電源とを備え、前記真空容器内に反応性ガスを導入して前記基板保持機構上に保持される基板をプラズマ処理するプラズマ処理装置において、前記基板の被処理面に対し平行な方向を向く磁界を生成する磁界発生手段が前記アンテナの周囲に設けられ、前記アンテナは、このアンテナによって発生する交番磁界が前記磁界発生手段により生成される前記磁界と平行な成分を含むように形成されることを特徴とするプラズマ処理装置。

IPC (5)：

H01L 21/3065 , C23C 16/50 , C23F 4/00 , H01L 21/205 , H05H 1/46

FI (2)：

H01L 21/302 B , H01L 21/302 C

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

特開平3-068773
有磁場誘導結合プラズマ処理装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-309300 Applicant：キヤノン株式会社
特開昭63-277778

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