Pat
J-GLOBAL ID：200903032591794153
強磁性トンネル接合素子を用いた装置、およびその製造方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
稲岡 耕作 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999353295
Publication number (International publication number)：2001168418
Application date： Dec. 13, 1999
Publication date： Jun. 22, 2001
Summary：
【要約】【課題】第1および第2の強磁性体層ならびにこれらに挟まれたトンネル絶縁層を有する多層膜の構成層を良好にパターニングして、特性の改善された強磁性トンネル接合素子を有する装置を製造する。【解決手段】層間絶縁膜14に凹所15が形成され、この凹所15の内外に多層膜16が形成される。多層膜16は、反強磁性体層25、第1および第2の強磁性体層21,22、ならびにトンネル絶縁層23からなる。凹所15の深さDは、多層膜16の膜厚Tよりも深い。そこで、化学的機械的研磨によって、凹所15外の多層膜16を除去すると、凹所15内には、損傷を受けることなくパターニングされた多層膜16からなる強磁性トンネル接合素子が形成される。
Claim (excerpt)：
基板上の絶縁層に所定深さの凹所を形成する工程と、上記絶縁層上および上記凹所内に、第1の強磁性体層、第2の強磁性体層、ならびにこれら第1および第2の強磁性体層の間に挟まれたトンネル絶縁層を含む多層膜の構成層の一部または全部を含み、上記凹所の深さよりも薄い所定厚さの素子形成膜を形成する工程と、化学的機械的研磨により、上記凹所外の上記絶縁層の表面に存在する上記素子形成膜を除去して、上記凹所内に素子系成膜を残し、上記凹所内の領域に強磁性トンネル接合素子を形成する工程とを含むことを特徴とする強磁性トンネル接合素子を用いた装置の製造方法。
IPC (4)：
H01L 43/12
, G11C 11/15
, H01F 10/30
, H01L 43/08
H01L 43/12
, G11C 11/15
, H01F 10/30
, H01L 43/08 Z
5E049AA01
, 5E049AA04
, 5E049AA09
, 5E049AC05
, 5E049BA06
, 5E049BA12
, 5E049GC02
