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J-GLOBAL ID：200903032669977756

化合物半導体膜の製造方法

Inventor： 森安 嘉貴 ,  石田 誠
Applicant, Patent owner： 旭化成工業株式会社 ,  石田 誠
Agent (1)： 谷 義一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998038821
Publication number (International publication number)：1999238683
Application date： Feb. 20, 1998
Publication date： Aug. 31, 1999
Summary：

【要約】【課題】 結晶性が高く表面平坦性が良好な化合物半導体膜を、安価な製造コストで形成することが可能な化合物半導体膜の製造方法。【解決手段】 Si基板上にバッファ層を形成し、化合物半導体を成長するへテロ成長技術を用いた製造方法において、Si基板1上にγ-Al2 O3 等のバッファ層2を形成し、バッファ層2上に金属の予備成長を行って予備成長層3を形成し、この金属の予備成長層3上に所望とする化合物半導体膜4を形成する。

Claim (excerpt)：

Si基板上に化合物半導体膜を形成する方法であって、前記Si基板上に酸化物からなるバッファ層を形成する工程と、前記バッファ層上に金属からなる予備成長層を、前記化合物半導体膜の予備成長として形成する工程と、前記金属からなる予備成長層上に所望とする化合物半導体膜を形成する工程とを具えたことを特徴とする化合物半導体膜の製造方法。

IPC (3)：

H01L 21/203 ,  C30B 29/38 ,  H01L 21/205

FI (3)：

H01L 21/203 M ,  C30B 29/38 D ,  H01L 21/205

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

• 窒化ガリウム系化合物半導体の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-292320   Applicant：松下電子工業株式会社
• 半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-183043   Applicant：昭和電工株式会社

Cited by examiner (2)

• 窒化ガリウム系化合物半導体の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-292320   Applicant：松下電子工業株式会社
• 半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-183043   Applicant：昭和電工株式会社