局在プラズモン増強センサ

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：山本拓也
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2006064132
Publication number (International publication number)：2007240361
Application date： Mar. 09, 2006
Publication date： Sep. 20, 2007
Summary：

【課題】本発明は、光照射により微細構造に励起される局在プラズモン現象の増強電場をもって、蛍光励起現象もしくはリカップリング散乱光を引き起こし、発光をモニタリングすることで、信号増強効果が大きく、低濃度の被測定物質であっても正確に定性・定量することができ、且つ、小型で、製造が容易で安価な局在プラズモン増強センサシステムを提供する。【解決手段】光学基材の一面に、高さが100〜10000nm、幅が20〜1000nm、アスペクト比が2〜10である、多数の凸部が形成され、該凸部表面に厚さ40〜120nmの金属膜が積層され、該金属膜表面に誘電体層が積層され、該誘電体層表面に試料中の被測定物質と特異的に結合して特異的結合物を構成しうる特異的結合メンバーが固定されていることを特徴とする局在プラズモン増強センサ。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

光学基材の一面に、高さが100〜10000nm、幅が20〜1000nm、アスペクト比が2〜10である、多数の凸部が形成され、該凸部表面に厚さ40〜120nmの金属膜が積層され、該金属膜表面に誘電体層が積層され、該誘電体層表面に試料中の被測定物質と特異的に結合して特異的結合物を構成しうる特異的結合メンバーが固定されていることを特徴とする局在プラズモン増強センサ。

IPC (3)：

G01N 21/64 , G01N 33/543 , G01N 21/78

FI (3)：

G01N21/64 G , G01N33/543 595 , G01N21/78 C

F-Term (39)：

2G043AA01 , 2G043BA16 , 2G043EA01 , 2G043FA07 , 2G043GA07 , 2G043GB05 , 2G043GB16 , 2G043HA01 , 2G043HA05 , 2G043HA07 , 2G043JA02 , 2G043JA04 , 2G043JA05 , 2G043KA02 , 2G043KA05 , 2G043KA09 , 2G043LA01 , 2G043LA02 , 2G043LA03 , 2G043LA05 , 2G054AB04 , 2G054CA22 , 2G054CA23 , 2G054CA28 , 2G054CE02 , 2G054EA05 , 2G054FA06 , 2G054FA09 , 2G054FA12 , 2G054FA15 , 2G054FA16 , 2G054FA17 , 2G054FA18 , 2G054FA19 , 2G054FA32 , 2G054FA33 , 2G054GA04 , 2G054GA05 , 2G054GB04

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

分析素子の製造方法及び分析素子、並びにそれを用いた試料の分析方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-167167 Applicant：三菱化学株式会社
微細構造体およびその作製方法並びにセンサ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2003-022226 Applicant：富士写真フイルム株式会社

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