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J-GLOBAL ID：200903032703477091

高抵抗炭化ケイ素層の形成方法および炭化ケイ素半導体装置

Inventor： 井上 森雄 ,  中田 俊武 ,  松波 弘之 ,  木本 恒暢
Applicant, Patent owner： 株式会社イオン工学研究所 ,  松波 弘之 ,  木本 恒暢
Agent (1)： 福島 祥人
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996115878
Publication number (International publication number)：1997301799
Application date： May. 10, 1996
Publication date： Nov. 25, 1997
Summary：

【要約】【課題】 短時間かつ低コストで高抵抗炭化ケイ素層を形成する方法および高抵抗炭化ケイ素層を用いた炭化ケイ素半導体装置を提供することである。【解決手段】 SiC基板21上にBまたはAlが添加されたp型エピタキシャル層を形成する。p型エピタキシャル成長層にn+ -層23,24を所定間隔を隔てて形成するとともにp+ -層26,27を所定間隔を隔てて形成し、p+ -26,27間の領域にn-層28を形成する。n+ -層23,24間の領域はp-層25となる。これらの層23〜28の周囲のエピタキシャル成長層にV+ の注入によりV+ 注入SiC層22を形成する。V+ の注入ドーズ量は、初期のp型エピタキシャル成長層の結晶中に存在するキャリア密度を補償するのに十分な量とする。

Claim (excerpt)：

炭化ケイ素にその炭化ケイ素のキャリア密度と同程度またはそれ以上の密度で遷移金属を添加することにより、前記炭化ケイ素中に高抵抗層を形成することを特徴とする高抵抗炭化ケイ素層の形成方法。

IPC (8)：

C30B 29/36 ,  C30B 23/02 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/265 ,  H01L 29/872 ,  H01L 29/78 ,  H01L 29/861

FI (9)：

C30B 29/36 A ,  C30B 23/02 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/265 J ,  H01L 29/48 D ,  H01L 29/78 301 H ,  H01L 29/78 301 B ,  H01L 29/91 F

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 高低抗炭化ケイ素の製法
  Gazette classification：公表公報   Application number：特願平7-505534   Applicant：ダイムラー-ベンツアクチエンゲゼルシャフト, フラウンホーファー-ゲゼルシャフトツルフェルデルングデルアンゲヴァンテンフォルシュングエー.ファウ.
• 特開平2-291123