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J-GLOBAL ID：200903032752975447

化学気相成長による金属薄膜形成方法

Inventor： 泉 宏比古
Applicant, Patent owner： 新日本製鐵株式会社
Agent (1)： 八田 幹雄
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993182518
Publication number (International publication number)：1994089873
Application date： Jul. 23, 1993
Publication date： Mar. 29, 1994
Summary：

【要約】【目的】 膜中にシリコン等の不純物の混入のない低抵抗、低残留応力の金属薄膜を形成し、基体の浸蝕を防止して、漏洩電流を抑え、膜表面の平坦性を向上させる。【構成】 原料ガスと還元性ガスを交互に不連続的に基体上に導入するCVDによる金属薄膜形成方法。また、還元性ガスの導入時、励起手段を用いて還元性ガスの励起種を生成し、この励起種を基体上に吸着した原料ガスの分解に用いるCVDによる金属薄膜形成方法。

Claim (excerpt)：

化学気相成長法により金属薄膜を基体上に形成する方法において、原料ガスと還元性ガスを交互に不連続的に基体上に導入して、一定温度で化学気相成長を行い、この化学気相成長を繰り返し行うことにより所要の膜厚の金属薄膜を基体上に形成することを特徴とする化学気相成長による金属薄膜形成方法。

IPC (3)：

H01L 21/285 ,  C23C 16/44 ,  H01L 21/205

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 金属薄膜の堆積法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-206231   Applicant：日本電気株式会社