Pat

J-GLOBAL ID：200903032779543425

半導体量子ドット構造及びその製造方法

Inventor： 岡本 浩
Applicant, Patent owner： 日本電信電話株式会社
Agent (3)： 光石 俊郎 ,  田中 康幸 ,  松元 洋
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005045172
Publication number (International publication number)：2006237045
Application date： Feb. 22, 2005
Publication date： Sep. 07, 2006
Summary：

【課題】 従来の半導体量子ドットに対し、より製造可能な発光或いは受光波長範囲が広く、かつ、より欠陥が少なく光学特性に優れ、作成上の制約も少ない半導体量子ドットを均一性、再現性良く作成する。【解決手段】 半導体基板101上に量子ドット105が形成される構造において、量子ドット105が、少なくとも2種類の、組成或いは構成元素の少なくとも一部が異なる半導体材料により構成され、自己組織化量子ドットからなる第一領域105aと、薄膜層106の成長中に第一領域105aによる歪場に誘起された組成変調によって第一領域105a上に選択的に形成された第二領域105bとを有し、更に量子ドット105を構成する少なくとも1種類の半導体材料中にビスマスまたはアンチモン、或いはその双方が添加される半導体量子ドット構造及びその製造方法とした。【選択図】 図1

Claim (excerpt)：

半導体基板上に半導体量子ドットが形成される構造において、前記半導体量子ドットが、少なくとも2種類の、組成或いは構成元素の少なくとも一部が異なる半導体材料から構成され、少なくとも1種類の前記半導体材料中にビスマスまたはアンチモン、或いはその双方が添加されていることを特徴とする半導体量子ドット構造。

IPC (1)：

H01S 5/343

FI (1)：

H01S5/343

F-Term (5)：

5F173AF09 ,  5F173AF15 ,  5F173AH04 ,  5F173AH14 ,  5F173AP06

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

• 特許第3239821号公報
  

Cited by examiner (1)

• 半導体量子ドット構造及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2004-168089   Applicant：日本電信電話株式会社