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J-GLOBAL ID：200903032798818877

光デバイス

Inventor： 山本 和重 ,  清水 達雄
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (8)： 鈴江 武彦 ,  河野 哲 ,  中村 誠 ,  蔵田 昌俊 ,  峰 隆司 ,  福原 淑弘 ,  村松 貞男 ,  橋本 良郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2006270003
Publication number (International publication number)：2008091572
Application date： Sep. 29, 2006
Publication date： Apr. 17, 2008
Summary：

【課題】ゲルマニウムは、半導体プロセスを用いて光電気混載LSIに搭載される長波長帯光デバイスに用いる場合、吸収の長波長化又は長波長帯での吸収が実用化されていない。【解決手段】ゲルマニウム原子を主成分とする四面体結合される半導体であり、基板格子定数がゲルマニウムよりも小さく、基板面方位が{111}面であり、基板面と垂直な<111>軸方向に半導体格子を伸長される光電変換層を用いる光デバイスである。【選択図】 図1

Claim (excerpt)：

基板格子定数がゲルマニウムよりも小さく、{111}面の基板面方位を有する基板と、 前記基板の{111}面上に配置され、ゲルマニウム原子を主成分とする四面体結合される半導体からなり、前記{111}面と垂直な<111>軸方向に半導体格子が伸長されている光電変換層と、を具備することを特徴とする光デバイス。

IPC (1)：

H01L 31/10

FI (1)：

H01L31/10 A

F-Term (12)：

5F049MA03 ,  5F049MB03 ,  5F049MB05 ,  5F049NA03 ,  5F049NB01 ,  5F049PA04 ,  5F049PA05 ,  5F049PA10 ,  5F049PA14 ,  5F049SS03 ,  5F049SS08 ,  5F049SS09

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

• Ge光検出器
  Gazette classification：公表公報   Application number：特願2004-515597   Applicant：マサチューセッツ・インスティチュート・オブ・テクノロジー

Cited by examiner (1)

• Ge光検出器
  Gazette classification：公表公報   Application number：特願2004-515597   Applicant：マサチューセッツ・インスティチュート・オブ・テクノロジー