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J-GLOBAL ID：200903032809242557

光検出または照射用プローブの製造方法

Inventor： 川崎 岳彦 ,  黒田 亮 ,  松田 宏
Applicant, Patent owner： キヤノン株式会社
Agent (1)： 長尾 達也
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998120059
Publication number (International publication number)：1999295327
Application date： Apr. 14, 1998
Publication date： Oct. 29, 1999
Summary：

【要約】【課題】本発明は、微小開口の開口径が再現性良く形成でき、さらに開口径を任意の径に制御して形成することができる光検出または照射用プローブの製造方法を提供することを目的としている。【解決手段】本発明は、Si単結晶基板表面にマスク層を形成する工程と、該マスク層にエッチング口を形成する工程と、該エッチング口よりSi単結晶基板に異方性エッチングによって微小開口を形成する工程と、を有する光検出または照射用プローブの製造方法であって、前記微小開口の形成が、異方性エッチングによる微小開口の形成を検知した後、さらに該エッチングの時間を制御することにより行われることを特徴とするものである。

Claim (excerpt)：

Si単結晶基板表面にマスク層を形成する工程と、該マスク層にエッチング口を形成する工程と、該エッチング口よりSi単結晶基板に異方性エッチングによって微小開口を形成する工程と、を有する光検出または照射用プローブの製造方法であって、前記微小開口の形成が、異方性エッチングによる微小開口の形成を検知した後、さらに該エッチングの時間を制御することにより行われることを特徴とする光検出または照射用プローブの製造方法。

IPC (2)：

G01N 37/00 ,  G11B 7/09

FI (2)：

G01N 37/00 E ,  G11B 7/09 D

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

• プロ-ブ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-343048   Applicant：株式会社ニコン
• 特公昭59-003550
  
• 微小接合素子の製造方法およびその製造装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-173890   Applicant：横河電機株式会社
• 特開平4-094125
  
• 特開昭61-232621