トランジスタ用保護ダイオード

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：山口巖
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993094706
Publication number (International publication number)：1994310726
Application date： Apr. 22, 1993
Publication date： Nov. 04, 1994
Summary：

【要約】【目的】絶縁ゲート形トランジスタ等の過電圧保護用のダイオードをトランジスタと同じチップ内に容易に作り込めるようそのダイオード層を作り込む際の不純物の拡散深さを減少させる。【構成】保護対象トランジスタ10としての縦形電界効果トランジスタのオフ状態で空乏層が延びるn形の半導体領域2の表面を覆う絶縁膜31の窓からp形のダイオード層32を複数個に分割して拡散し、それらに導電接触する電極膜34からダイオード端子Aを導出して保護ダイオード30とすることにより、過電圧により各ダイオード層32から半導体領域2内に延びる空乏層が互いに繋がりにくくし、ダイオード層32の拡散深さが従来より1桁程度浅くても保護ダイオード30の降伏電圧を保護対象トランジスタ10の耐圧値より充分低め得るようにする。

Claim (excerpt)：

トランジスタの保護のためにそのチップ内に作り込まれるダイオードであって、トランジスタのオフ時に空乏層が延びる半導体領域の表面からそれとは逆の導電形で拡散された複数のダイオード層と、これらダイオード層の表面を共通に覆う絶縁膜と、絶縁膜の窓を介して各ダイオード層と導電接触する電極膜とを備え、電極膜からダイオード端子を導出してトランジスタに接続してなることを特徴とするトランジスタ用保護ダイオード。

IPC (2)：

H01L 29/784 , H01L 29/76

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

特開平4-332172
特開昭64-008674
特開昭58-161374

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