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J-GLOBAL ID：200903032823919225
透明電極膜の製造方法
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
米澤 明 (外7名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991262308
Publication number (International publication number)：1993106035
Application date： Oct. 09, 1991
Publication date： Apr. 27, 1993
Summary：
【要約】【目的】 低温度で電気抵抗の低い透明電極膜を得るとともにITOターゲットの使用効率を高める。【構成】 液晶表示装置用のカラーフィルターのように有機物の被膜上にITO膜からなる透明電極膜を直流マグネトロンスパッタリングによって形成するような基板温度を200°C程度とする必要がある場合でも、入力電圧を250V以下と低下し、磁石の磁束密度を800G以上と大きくすると共に、ITOターゲットには95%程度の高密度のものを用い、スパッタリング中には磁石をITOターゲット面上を移動する。
Claim (excerpt)：
基板上の有機物の被膜にITO膜からなる透明電極膜を直流マグネトロンスパッタリングによって形成する際に、磁石をITOターゲット面と平行に移動させながらスパッタリングを行うことを特徴とする透明電極膜の製造方法。
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (6)
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