Pat
J-GLOBAL ID：200903032859493798
固定層に半金属強磁性体ホイスラー合金を有する交換結合構造の磁気抵抗素子
Inventor：
,
,
Applicant, Patent owner：
Agent (2)：
小川 勝男
, 木崎 邦彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004026561
Publication number (International publication number)：2004260149
Application date： Feb. 03, 2004
Publication date： Sep. 16, 2004
Summary：
【課題】100%近いスピン偏極を有する半金属強磁性体ホイスラー合金を含む、交換結合構造を有する磁気抵抗素子の実現が求められている。 【解決手段】非磁性スペーサ120で分離されているピンド強磁性体層118とフリー強磁性体層132を有する磁気抵抗素子であり、ピンド強磁性体層118として100%近いスピン偏極の半金属強磁性体ホイスラー合金を使用する交換結合した反強磁性体層/強磁性体層構造を有している。交換結合構造110は中間強磁性体層116をAF層112とピンド半金属強磁性体ホイラー合金層118の間に有しており、この結果交換バイアスを形成している。交換結合構造110を組み込むことができる磁気抵抗素子には面内電流(CIP)読み出しヘッドと面直交電流(CPP)磁気トンネル接合及び読み出しヘッドがある。交換結合構造110は磁気抵抗素子の非磁性スペーサ層120の上か下に設けられている。【選択図】図2A
Claim (excerpt)：
基板と、
前記基板上にあり、反強磁性材料の層と、半金属強磁性体ホイスラー合金の層と、前記反強磁性材料と前記合金に接触しかつその間に配置された強磁性材料の層と、を有する交換結合構造と、
を有することを特徴とする磁気抵抗素子。
IPC (4)：
H01L43/08
, G11B5/39
, H01L27/105
, H01L43/10
H01L43/08 M
, H01L43/08 Z
, G11B5/39
, H01L43/10
, H01L27/10 447
5D034BA04
, 5D034BB20
, 5F083FZ10
, 5F083JA31
Cited by applicant (1)
-
米国特許出願公開第2002/0012812号明細書
Cited by examiner (2)
Article cited by the Patent：
Cited by examiner (1)
-
"Spin Polarized Tunneling at Room Temperature in a Heusler Compound - A non-oxide Material with a La
Return to Previous Page
