Pat
J-GLOBAL ID：200903014438767122
磁性薄膜及びそれを用いた磁気抵抗効果素子並びに磁気デバイス
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
平山 一幸
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003271628
Publication number (International publication number)：2004221526
Application date： Jul. 07, 2003
Publication date： Aug. 05, 2004
Summary：
【課題】 スピン分極率の大きい磁性薄膜及びそれを用いた磁気抵抗効果素子並びに磁気デバイスを提供する。【解決手段】 基板2と基板上に形成されるCo2 Fex Cr1-x Al薄膜3とを備え、Co2 Fex Cr1-x Al薄膜3はL21 ,B2,A2構造の何れか一つの構造を有し、かつ0≦x≦1である。室温において、強磁性を示し大きなスピン分極率が得られる。基板2とCo2 Fex Cr1-x Al薄膜3の間にはバッファー層4が挿入されてもよい。この磁性薄膜を用いたトンネル磁気抵抗効果素子及び巨大磁気抵抗効果素子は、室温において、低磁界で大きなTMRとGMRが得られる。さらに、これらの磁気抵抗効果素子を用いた磁気デバイス、磁気ヘッド、磁気記録装置を提供する。【選択図】 図1
Claim (excerpt)：
基板と該基板上に形成されるCo2 Fex Cr1-x Al薄膜と、を備え、
上記Co2 Fex Cr1-x Al薄膜はL21 ,B2,A2構造の何れか一つの構造を有し、かつ、0≦x≦1であることを特徴とする磁性薄膜。
IPC (4)：
H01L43/08
, G11B5/39
, H01F10/16
, H01F10/32
H01L43/08 M
, H01L43/08 Z
, G11B5/39
, H01F10/16
, H01F10/32
5D034BA02
, 5D034BA05
, 5E049AA04
, 5E049BA12
, 5E049BA16
, 5E049DB04
, 5E049DB12
