半導体装置

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：鈴江武彦 (外6名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996232085
Publication number (International publication number)：1998074943
Application date： Sep. 02, 1996
Publication date： Mar. 17, 1998
Summary：

【要約】【課題】歪の効果により移動度が増大した系を用いて、p型及びn型のMOSFETを同時に作成可能とする構造を提供すること。【解決手段】歪を内包するSi層及びSiGe層を積層した超格子(21)上でトレンチ(20)(或いはメサ面)を形成し当該トレンチ(20)(或いはメサ面)にゲート酸化膜(22)を形成する。

Claim (excerpt)：

第1の禁制帯幅を有する第1の半導体層と前記第1の禁制帯幅より狭い禁制帯幅を有する第2の半導体層とを積層して形成され、前記第2の半導体層の伝導帯のエネルギー準位が前記第1の半導体層の伝導帯の準位より低く、前記第2の半導体層の価電子帯のエネルギー準位が前記第1の半導体層の価電子帯のエネルギー準位より低いバンド構造を有するか、或いは、前記第2の半導体層の伝導帯のエネルギー準位が前記第1の半導体層の伝導帯の準位より高く、かつ前記第2の半導体層の価電子帯のエネルギー準位が前記第1の半導体層の価電子帯のエネルギー準位より高いバンド構造を有する超格子と、前記超格子が形成される面方位とは異なる面に形成され、前記超格子の端面が露出した露出面と、前記露出面に選択的に形成されたチャネルと、を具備することを特徴とする半導体装置。

IPC (6)：

H01L 29/78 , H01L 21/8238 , H01L 27/092 , H01L 29/778 , H01L 21/338 , H01L 29/812

FI (3)：

H01L 29/78 301 X , H01L 27/08 321 C , H01L 29/80 H

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (8)

半導体装置及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-330193 Applicant：株式会社日立製作所
電界効果トランジスタ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-144582 Applicant：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション
特開昭62-061367

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