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J-GLOBAL ID：200903032889041778

強誘電体薄膜の形成方法、薄膜形成用塗布液

Inventor： 金原 隆雄 ,  小岩 一郎 ,  見田 充郎 ,  古山 晃一
Applicant, Patent owner： 沖電気工業株式会社 ,  株式会社豊島製作所
Agent (1)： 大垣 孝
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996013049
Publication number (International publication number)：1997208224
Application date： Jan. 29, 1996
Publication date： Aug. 12, 1997
Summary：

【要約】【課題】 リーク電流の小さい、成分元素としてSrを含むBi層状化合物から成る強誘電体薄膜の湿式法による形成方法およびそれに用いる薄膜形成用塗布液を提供すること。【解決手段】 薄膜形成用塗布液をSrイソプロポキシドおよびその他の成分元素の金属アルコキシドを含み、溶媒がメトキシプロパノールである構成のものとする。この塗布液を用いて、湿式法により形成する。

Claim (excerpt)：

成分元素としてSr(ストロンチウム)を含むBi(ビスマス)層状化合物から成る強誘電体薄膜を湿式法により形成するに当たり、塗布液として、Srイソプロポキシドおよびその他の成分元素の金属アルコキシドを含むメトキシプロパノール溶液を用いることを特徴とする強誘電体薄膜の形成方法。

IPC (7)：

C01G 29/00 ,  H01B 3/00 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792

FI (4)：

C01G 29/00 ,  H01B 3/00 F ,  H01L 27/10 651 ,  H01L 29/78 371

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• DRAM用キャパシタセル
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-129609   Applicant：株式会社リコー