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J-GLOBAL ID：200903032929626898

半導体装置の製造方法

Inventor： 田桑 哲也
Applicant, Patent owner： 日本電気株式会社
Agent (1)： 鈴木 章夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995304794
Publication number (International publication number)：1997148268
Application date： Nov. 22, 1995
Publication date： Jun. 06, 1997
Summary：

【要約】【課題】 シリコン基板の導電体層に対してコンタクトホールを開口すると、導電体層表面の自然酸化膜によりコンタクト抵抗が増加する。この自然酸化膜はコンタクトホールの径寸法を拡大することなく好適に除去することは困難である。【解決手段】 コンタクトホールの底面に露呈されるシリコン基板1の導電体領域3の表面に薄い酸化膜5を形成した後、この酸化膜5を水素を含むプラズマによりエッチング除去する。導電体領域3の表面の自然酸化膜やダメージ層3aとエッチング残留物を好適に除去することができ、コンタクトホールの径寸法を拡大することなく微細でかつP,N型の導電型にかかわらずコンタクト抵抗の小さいコンタクト構造を得ることが可能となる。

Claim (excerpt)：

半導体基板の主面に導電体層を形成する工程と、この導電体層を覆うように絶縁膜を形成し、かつこの絶縁膜に前記導電体層を露呈させるコンタクトホールを開口する工程と、露呈された導電体層の表面に薄い酸化膜を形成する工程と、前記酸化膜を少なくとも水素を含むプラズマを用いて除去する工程と、コンタクトホール内に金属を埋め込む工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3)：

H01L 21/28 ,  H01L 21/3065 ,  H01L 21/3213

FI (3)：

H01L 21/28 F ,  H01L 21/302 M ,  H01L 21/88 D

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開昭64-051620
  
• 特開昭64-041218
  
• 配線構造およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-069197   Applicant：ソニー株式会社