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J-GLOBAL ID：200903032929830959

シリコンウエハの製造方法

Inventor： 小宮 聡 ,  芳野 史朗 ,  段畠 政善 ,  林田 広一郎
Applicant, Patent owner： コマツ電子金属株式会社
Agent (1)： 正林 真之
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999241185
Publication number (International publication number)：2001064095
Application date： Aug. 27, 1999
Publication date： Mar. 13, 2001
Summary：

【要約】【課題】 窒素をドーピングしつつ、半導体デバイス用として十分な特性を備えたシリコンウエハを製造することができる方法を提供する。【解決手段】 チョクラルスキー法によりシリコン単結晶を引上げてシリコンインゴットを製造する方法において、窒素をドーピングして、窒素濃度が5×1013atoms/cm3から4×1014atoms/cm3となる部分を形成する条件でシリコン単結晶を引上げてシリコンインゴットを製造し、ここから窒素濃度が1×1014atoms/cm3から4×1014atoms/cm3の範囲内にある非酸化性熱処理用シリコンウエハを切り出す。

Claim (excerpt)：

窒素濃度が1×1014atoms/cm3から4×1014atoms/cm3の範囲内にある非酸化性熱処理用シリコンウエハ。

F-Term (5)：

4G077AA02 ,  4G077AB01 ,  4G077CF10 ,  4G077EB01 ,  4G077FE05

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 低欠陥密度を有するシリコン半導体ウエハの製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-201762   Applicant：ワッカー・ジルトロニク・ゲゼルシャフト・フュア・ハルブライターマテリアリエン・アクチェンゲゼルシャフト