半導体装置及びその製造方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：鈴江武彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994147677
Publication number (International publication number)：1996017918
Application date： Jun. 29, 1994
Publication date： Jan. 19, 1996
Summary：

【要約】【目的】配線幅の異なる埋め込み配線層及びコンタクトホ-ル上に配置された埋め込み配線層を有し、それらの配線抵抗が制御された半導体装置とその製造方法を提供することである。【構成】シリコン基板11上にP-SiO膜13、SiN膜14を堆積させる。レジスト15aを用いてSiN膜14をエッチングしてコンタクトホ-ル用開口部21を形成する。全面にP-SiO膜16を堆積させ、レジスト15bをマスクにP-SiO膜16,13のエッチングを行い、コンタクトホ-ル22、埋め込み配線層用の第1の溝部23及び第2の溝部24を形成する。全面に導電物を堆積し後、CMP法を用いて導電層17、第1の埋め込み配線層18及び第2の埋め込み配線層19とが形成される。

Claim (excerpt)：

拡散層を有する半導体基板上に形成された第1絶縁膜と、上記第1絶縁膜上に形成された第2絶縁膜と、上記第2絶縁膜上に形成された第3絶縁膜と、上記第3絶縁膜に選択的に設けられ上記第2絶縁膜表面を露出させる複数の埋め込み配線層用溝部と、上記各埋め込み配線層用溝部に形成された複数の埋め込み配線層とをからなることを特徴とする半導体装置。

IPC (2)：

H01L 21/768 , H01L 21/3205

FI (2)：

H01L 21/90 D , H01L 21/88 K

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

特開昭62-102544
特開平3-198327
多層配線の形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-238303 Applicant：三菱電機株式会社

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