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J-GLOBAL ID:200903032974194400
半導体ウエハ処理液の精製膜及び方法
Inventor:
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Applicant, Patent owner:
Agent (1):
倉内 基弘 (外1名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1995319764
Publication number (International publication number):1997141058
Application date: Nov. 15, 1995
Publication date: Jun. 03, 1997
Summary:
【要約】【課題】 半導体ウエハのポジ型レジスト処理溶液やウエハ洗浄水の精製に関し、特に濾過と同時に微量金属イオンを選択的に捕捉する機能を有する多孔質膜を提供することを目的とする。【解決手段】 蛇かご構造を有する官能基及び温水で再生されるサイロサーム構造を有する官能基および錯体形成をなす官能基を被覆した濾過膜の製法とこれを用いる半導体ウエハの処理方法。半導体ウエハ処理液の精製に適用したところ濾過はもとより、きわめて選択的に金属イオンが除去され、有機アルカリ液においては有機アルカリの損失が減少し、洗浄水の純度が向上し、特にHBMF2は微量の金属を純水中から除去する効果を持ち、その上さらに、一般的なフィルターと比較して同等以上の粒子除去性能を有するので、この濾過膜で処理された超純水を用いてウエハを処理洗浄した場合ウエハの少数キャリア再結合ライフタイムが向上した。
Claim (excerpt):
ハイブリッド構造を有する有機酸および塩基からなる重合体を被覆してなる半導体処理液精製用の多孔質膜。
IPC (3):
B01D 61/00
, B01D 69/12
, H01L 21/304 341
FI (3):
B01D 61/00
, B01D 69/12
, H01L 21/304 341 S
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (4)
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特開昭53-132479
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特開平2-014725
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拡散透析膜
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平4-193829
Applicant:徳山曹達株式会社
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特開昭63-283707
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Cited by examiner (4)