電界効果トランジスタ

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：松隈秀盛
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993038898
Publication number (International publication number)：1994252177
Application date： Feb. 26, 1993
Publication date： Sep. 09, 1994
Summary：

【要約】【目的】アンドープ条件での成長によっても高い導電性を示す化合物半導体によるFETをにおいて、ピンチオフ特性の改善をはかり、ノーマリーオフ型のFETを実現し、さらにソース抵抗の改善、したがってノイズ特性の改善をはかる。【構成】第1導電型のチャネル層1の少なくとも一方の面にこのチャネル層1よりも電子親和力が小さく第2導電型の不純物がドープされた障壁層2を設けたFETを構成する。

Claim (excerpt)：

第1導電型のチャネル層の少なくとも一方の面に該チャネル層よりも電子親和力が小さく第2導電型の不純物がドープされた障壁層が設けられたことを特徴とする電界効果トランジスタ。

IPC (2)：

H01L 21/338 , H01L 29/812

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

特開平4-332137
エンハンスメント型電界効果トランジスタ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-323501 Applicant：日本電気株式会社
特開平4-332137

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