インバータ及びそれを含む論理回路

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (4)：志賀正武 , 渡邊隆 , 村山靖彦 , 実広信哉
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2009070507
Publication number (International publication number)：2009246362
Application date： Mar. 23, 2009
Publication date： Oct. 22, 2009
Summary：

【課題】インバータ及びそれを含む論理回路を提供する。【解決手段】第1酸化物層をチャンネル層として有する空乏型の負荷トランジスタ、及び負荷トランジスタと連結され、第2酸化物層をチャンネル層として有する増加型の駆動トランジスタを有するインバータであって、第2酸化物層と、それに対応するソース電極及びドレイン電極との間に、第2酸化物層より仕事関数が大きなバリヤ層をさらに具備することを特徴とする。バリヤ層は、Ti酸化物層、Cu酸化物層、Ni酸化物層、TiドーピングされたNi酸化物層、ZnO系酸化物層、I族,II族及びV族元素のうち少なくとも一つがドーピングされたZnO系酸化物層、及びAgがドーピングされたZnO系酸化物層のうち一つである。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

第1酸化物層をチャンネル層として有する空乏型負荷トランジスタと、前記負荷トランジスタと連結され、第2酸化物層をチャンネル層として有する増加型駆動トランジスタとを備えるインバータ。

IPC (4)：

H01L 29/786 , H01L 27/08 , H01L 21/823 , H01L 27/092

FI (6)：

H01L29/78 618B , H01L29/78 618E , H01L29/78 613Z , H01L27/08 331E , H01L27/08 321K , H01L27/08 321C

F-Term (20)：

5F048AB01 , 5F048AB03 , 5F048AB04 , 5F048BA14 , 5F048BA16 , 5F048BD00 , 5F048BF15 , 5F048BF16 , 5F110AA01 , 5F110AA16 , 5F110BB01 , 5F110BB03 , 5F110BB05 , 5F110CC01 , 5F110CC07 , 5F110GG01 , 5F110GG06 , 5F110GG19 , 5F110GG33 , 5F110GG58

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

薄膜デバイス及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2006-217272 Applicant：日本電気株式会社, NEC液晶テクノロジー株式会社

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