傾斜機能薄膜の形成方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (1)：山本秀策
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001168886
Publication number (International publication number)：2002363757
Application date： Jun. 04, 2001
Publication date： Dec. 18, 2002
Summary：

【要約】【課題】薄膜の厚み方向に濃度勾配が形成された傾斜機能薄膜を簡便な方法により得ることができる。【解決手段】円筒型回転電極プラズマCVD装置10に、解離エネルギーが異なる2種類以上の原料ガスを導入する。プラズマCVD装置10内に形成されるプラズマ空間22において、原料ガスの解離エネルギーの差によって、プラズマ空間22の上流部22aにおいては、解離エネルギーが小さい原料ガスをソースとする元素が多く含まれる膜が形成され、プラズマ空間22の下流部22bにおいては、解離エネルギーが大きい元素ガスをソースとする元素が多く含まれる膜が形成される。そして、基板15を、プラズマ空間22の上流側から下流側に沿った方向、または、下流側から上流側に沿った方向に走査することにより、薄膜の厚み方向に濃度勾配を形成した傾斜機能薄膜を簡便に形成することができる。

Claim (excerpt)：

薄膜が形成される基板に対向して、高周波電力が印加された状態で回転する円筒型回転電極が配置された反応容器内に、解離エネルギーが異なる2種類以上の原料ガスを導入して、高周波電力が印加された円筒型回転電極を回転させつつ、基板を所定方向に走査して、該円筒型回転電極と基板との間にプラズマを形成することを特徴とする傾斜機能薄膜の形成方法。

IPC (3)：

C23C 16/509 , H01L 21/31 , H01L 21/318

FI (3)：

C23C 16/509 , H01L 21/31 C , H01L 21/318 B

F-Term (37)：

4K030AA06 , 4K030AA17 , 4K030AA18 , 4K030BA40 , 4K030CA04 , 4K030CA12 , 4K030FA03 , 4K030JA00 , 4K030JA03 , 4K030JA06 , 4K030JA08 , 4K030JA10 , 4K030JA12 , 4K030JA16 , 4K030KA16 , 4K030KA30 , 5F045AA08 , 5F045AB33 , 5F045AC01 , 5F045AC15 , 5F045AD07 , 5F045AF03 , 5F045BB04 , 5F045DC56 , 5F045EB02 , 5F045EH12 , 5F045EH19 , 5F045EM10 , 5F058BA20 , 5F058BC08 , 5F058BF07 , 5F058BF23 , 5F058BF30 , 5F058BF39 , 5F058BG01 , 5F058BG04 , 5F058BJ01

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

回転電極を用いた高速成膜方法及びその装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-201722 Applicant：三洋電機株式会社, 森勇藏

Return to Previous Page