Pat
J-GLOBAL ID:200903033099255618
窒化物半導体素子およびその製造方法
Inventor:
,
,
Applicant, Patent owner:
Agent (2):
谷 義一
, 阿部 和夫
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2005249527
Publication number (International publication number):2007067077
Application date: Aug. 30, 2005
Publication date: Mar. 15, 2007
Summary:
【課題】 従来の2つのバッファ層を持つAlN系超格子バッファ層を持つ窒化物半導体素子においては、シリコン基板上に、表面が平滑で、しかも、クラックのない窒化物半導体を得ることは困難であった。【解決手段】 AlxGa1-xNから成る第1のバッファ層のAl組成xおよびAlyGa1-yNから成る第2のバッファ層のAl組成yを厳密に規定することにより、形成される窒化物半導体の表面の平坦性およびクラック発生の防止を両立する最適な条件を明らかにした。第1のバッファ層と第2のバッファ層との界面が平滑で、しかも、結晶性の良いAlN系超格子バッファ層を作製することができる。窒化物半導体を使用した信頼性の高い電子デバイス・光デバイス等を作成することができる。【選択図】 図3
Claim (excerpt):
基板と、
前記基板上に形成され、AlxGa1-xN(0.5≦x≦1)から成る第1のバッファ層と、AlyGa1-yN(0.01≦y≦0.2)から成る第2のバッファ層とを交互に各々複数層を積層して形成されたAlN系超格子バッファ層と、
前記AlN系超格子バッファ層上に形成された窒化物半導体層と、
を備えたことを特徴とする窒化物半導体素子。
IPC (4):
H01L 29/201
, H01L 33/00
, H01S 5/323
, H01L 21/20
FI (4):
H01L29/203
, H01L33/00 C
, H01S5/323 610
, H01L21/20
F-Term (24):
5F041AA40
, 5F041CA40
, 5F041CA65
, 5F152LL05
, 5F152LN03
, 5F152LN13
, 5F152LN15
, 5F152LN26
, 5F152MM01
, 5F152MM03
, 5F152MM08
, 5F152NN03
, 5F152NN05
, 5F152NN27
, 5F152NP09
, 5F152NQ09
, 5F173AG14
, 5F173AG23
, 5F173AH22
, 5F173AH48
, 5F173AP05
, 5F173AR82
, 5F173AR83
, 5F173AR84
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (2)
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半導体装置及びその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2001-248735
Applicant:サンケン電気株式会社
-
III族窒化物素子及びIII族窒化物エピタキシャル基板
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2001-270758
Applicant:日本碍子株式会社
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