半導体基体の厚さ測定方法及びその測定装置

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (1)：鈴江武彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996021291
Publication number (International publication number)：1996316279
Application date： Feb. 07, 1996
Publication date： Nov. 29, 1996
Summary：

【要約】【課題】本発明は、半導体基体の処理を処理状態で監視し、処理工程及び器具を妨害せず、またそれらによって監視が妨害されることもない半導体基体の厚さ測定方法及びその測定装置を提供する。【解決手段】光源からの光で半導体基体11の裏側部分13を照射し、光を裏側部分13を通って部分的に半導体基体内に伝送し、それを半導体基体の表側部分15の裏側表面19によって部分的に反射させて1次反射光17を形成し、また、光の一部をさらに半導体基体の表側部分15を通して伝送させ、表側部分15の表側表面23で反射させて2次反射光21を形成し、それら1次及び2次反射光17, 21を検知し、それら1次及び2次反射光17, 21の干渉縞を表す干渉信号を発生させてそれから表側部分の厚さのデータを計算することを特徴とする。

Claim (excerpt)：

表側部分と裏側部分とを具備する半導体基体を設け、光源からの光を前記半導体基体の裏側部分に導き、その光を少なくとも部分的に前記裏側部分内に伝送させ、前記表側部分の裏側表面により部分的に反射させて1次反射光を形成するとともに、前記光を前記半導体基体の表側部分を通して部分的に伝送させ、前記表側部分の表側表面から少なくとも部分的に反射させて2次反射光を形成し、前記1次及び2次反射光を検知し、前記1次及び2次反射光から表側部分の厚さのデータを計算することを特徴とする半導体基体の厚さ測定方法。

IPC (3)：

H01L 21/66 , G01B 11/06 , H01L 21/304 321

FI (3)：

H01L 21/66 P , G01B 11/06 G , H01L 21/304 321 Z

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

光学的内部検査援助装置及びその方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-024852 Applicant：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション

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