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J-GLOBAL ID:200903033145439621

大気圧3次元イオントラッピングのための装置および方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 大西 正悟
Gazette classification:公表公報
Application number (International application number):2000564041
Publication number (International publication number):2002522873
Application date: Aug. 05, 1999
Publication date: Jul. 23, 2002
Summary:
【要約】本発明は、大気圧で規定された3次元空間内でイオンを選択的に伝搬し、イオンを捕捉するための装置を提供する。本発明は、アナライザ領域が第1および第2の空間を隔てた電極によって規定され、アナライザ領域がアナライザ領域を経てガスフローを距給するためのガス注入口およびガス放出口を有する高電界非対称波形イオン移動度分光法のイオン集束原理に基づいている。アナライザ領域に注入されるイオンは、ガス放出口に向かうガスフローによって搬送される。電極の少なくとも一方は、ガス放出口付近に位置する曲面の終端を備え、ガスフローは、イオンが終端の先端付近に位置する規定された3次元空間で捕捉されるように調整される。規定された3次元空間におけるイオンの捕捉によって、所望のイオンをさらに集中的に流すことができる。
Claim (excerpt):
規定された3次元空間内で、イオンを選択的に伝搬し、前記イオンを捕捉するための装置であって、 a)イオンを生成するための少なくとも1つの電離源と、 b)使用中に非対称波形電圧および直流補償電圧を供給することができる電気制御装置への接続のために少なくとも第1および第2の空間を隔てられた電極の間の空間によって規定されるアナライザ領域を含み、非対称波形電圧および直流補償電圧の所与の組合せで、前記電極の間の前記アナライザ領域において、選択されたイオンのタイプを選択的に伝搬するためであり、前記アナライザ領域が使用中に前記アナライザ領域を通じてガスフローを供給するためのガス注入口およびガス放出口を備え、前記アナライザ領域が前記電離源によって生成されたイオンの流れを前記アナライザ領域に注入するためのイオン注入口をさらに含む高電界非対称波形イオン移動度分光計と、 c)前記電極の少なくとも1つに設けられた曲面の終端であって、前記終端は、一部が前記ガス放出口に最も近い前記電極の前記1つの一部であり、前記規定された3次元空間が前記終端の付近に位置し、使用中に前記非対称波形電圧、前記補償電圧および前記ガスフローが、前記3次元空間内で前記伝搬されたイオンを捕捉するために調整可能であるようになっているような曲面の終端と、を含む装置。
IPC (3):
H01J 49/42 ,  G01N 27/62 ,  H01J 49/40
FI (4):
H01J 49/42 ,  G01N 27/62 K ,  G01N 27/62 L ,  H01J 49/40
F-Term (3):
5C038JJ02 ,  5C038JJ05 ,  5C038JJ07
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (3)

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