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J-GLOBAL ID：200903033169412287
半導体装置
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
高田 守
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993238355
Publication number (International publication number)：1995094507
Application date： Sep. 24, 1993
Publication date： Apr. 07, 1995
Summary：
【要約】【目的】 半導体装置の配線に、Cuあるいはその合金,Agあるいはその合金を用いても、この配線が酸化しないようにすることを目的とする。【構成】 Cuからなる配線2をTiとWの合金の侵入型窒化物からなる酸化防止膜3で覆うように形成し、この上より層間絶縁膜4を形成する。
Claim (excerpt)：
Cuあるいはその合金,あるいはAgあるいはその合金からなる配線が形成された配線層が多層に形成された半導体装置であって、前記配線の少なくとも上部が2種類以上の高融点金属からなる合金の窒化物からなる酸化防止膜で被覆されていることを特徴とする半導体装置。
Patent cited by the Patent：
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