表面グラフト形成方法、導電性膜の形成方法、金属パターン形成方法、多層配線板の形成方法、表面グラフト材料、及び導電性材料

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (4)：中島淳 , 加藤和詳 , 西元勝一 , 福田浩志
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004163783
Publication number (International publication number)：2005307140
Application date： Jun. 01, 2004
Publication date： Nov. 04, 2005
Summary：

【課題】ポリイミド基材の表面改質に有用なグラフトフトポリマー形成方法、及び該表面グラフト形成方法により得られた表面グラフト材料、並びに、ポリイミド基材表面に、耐熱性、密着性及び耐久性に優れた導電性膜の形成方法、金属パターン形成方法、多層配線板の形成方法、及び、得られた導電性材料を提供する。【解決手段】重合開始部位を骨格中に有するポリイミドを含む基材表面に、エネルギーを付与して、該基材表面に活性点を発生させ、該活性点を起点として該基材表面と直接結合し且つ極性基を有するグラフトポリマーを生成させることを特徴とする表面グラフト形成方法、及び表面グラフト材料からなり、また、エネルギーを付与して、該基材表面に活性点を発生させ、該活性点を起点として該基材表面と直接結合し且つ極性基を有するグラフトポリマーを生成させる工程と、該グラフトポリマーに導電性素材等を付着させる工程と、を有する導電性膜の形成方法、及び該方法を適用して得られた導電性材料からなる。【選択図】なし

Claim (excerpt)：

重合開始部位を骨格中に有するポリイミドを含む基材表面に、エネルギーを付与して、該基材表面に活性点を発生させ、該活性点を起点として該基材表面と直接結合し且つ極性基を有するグラフトポリマーを生成させることを特徴とする表面グラフト形成方法。

IPC (6)：

C08J7/16 , B32B27/34 , H05K3/00 , H05K3/06 , H05K3/38 , H05K3/46

FI (8)：

C08J7/16 , B32B27/34 , H05K3/00 R , H05K3/06 A , H05K3/38 A , H05K3/46 B , H05K3/46 N , H05K3/46 T

F-Term (75)：

4F073BA31 , 4F073CA41 , 4F073CA45 , 4F073FA01 , 4F073FA03 , 4F073FA05 , 4F100AB01B , 4F100AB17 , 4F100AB24 , 4F100AK01B , 4F100AK25 , 4F100AK49A , 4F100AL04B , 4F100AT00A , 4F100BA02 , 4F100DE01B , 4F100EH71B , 4F100EJ54 , 4F100GB43 , 4F100JG01B , 5E339AA02 , 5E339AB02 , 5E339AD01 , 5E339AD05 , 5E339AE01 , 5E339BC02 , 5E339BD03 , 5E339BD08 , 5E339BE13 , 5E339CC01 , 5E339CD01 , 5E339CF02 , 5E339CF16 , 5E339CG01 , 5E339EE10 , 5E339GG01 , 5E343AA02 , 5E343AA18 , 5E343AA33 , 5E343AA35 , 5E343AA39 , 5E343BB16 , 5E343BB24 , 5E343BB71 , 5E343CC71 , 5E343DD33 , 5E343DD43 , 5E343DD76 , 5E343EE32 , 5E343ER02 , 5E343ER31 , 5E343GG02 , 5E346AA02 , 5E346AA12 , 5E346AA15 , 5E346AA43 , 5E346BB01 , 5E346CC10 , 5E346CC32 , 5E346CC55 , 5E346DD02 , 5E346DD03 , 5E346DD25 , 5E346DD32 , 5E346DD48 , 5E346EE02 , 5E346EE08 , 5E346EE18 , 5E346EE42 , 5E346FF04 , 5E346GG17 , 5E346GG22 , 5E346GG23 , 5E346GG28 , 5E346HH11

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-279498 Applicant：株式会社ユニシアジェックス

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