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J-GLOBAL ID：200903033233393305

半導体用ヒートシンク

Inventor： 市田 晃 ,  土井 良彦 ,  津島 栄樹
Applicant, Patent owner： 東京タングステン株式会社 ,  東燃株式会社
Agent (1)： 後藤 洋介 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994246386
Publication number (International publication number)：1996111481
Application date： Oct. 12, 1994
Publication date： Apr. 30, 1996
Summary：

【要約】【目的】 ダイヤモンドやCBNに比べて劣らない熱伝導特性を有するとともに,加工性及び価格の減少面においても優れた半導体用ヒートシンクを提供する。【構成】 熱放散を必要とする半導体装置に用いられ半導体素子に直接接するか,中間層を介して接するヒートシンクにおいて,厚さ方向の熱伝導率が450W/m・K以上,且つ前記半導体素子との接合面広がり方向の熱膨張係数が4〜10×10-6/°Cである一方向性炭素-炭素繊維複合材からなる半導体ヒートシンクである。

Claim (excerpt)：

熱放散を必要とする半導体素子に用いられるヒートシンクにおいて,前記ヒートシンクは,450W/m・K以上の厚さ方向の熱伝導率を備えることもに,前記半導体素子との接合面の広がり方向に対して,4〜10×10-6/°Cの範囲の熱膨張係数を示す一方向性炭素-炭素繊維複合材によって構成されていることを特徴とする半導体用ヒートシンク。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-344272   Applicant：株式会社日立製作所
• 熱伝導性材料
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-056763   Applicant：大阪瓦斯株式会社