Pat

J-GLOBAL ID：200903033242731264

薄膜多層電極、高周波伝送線路、高周波共振器、および高周波フィルタ

Inventor： 後藤 義彦 ,  小林 真人 ,  田中 克彦
Applicant, Patent owner： 株式会社村田製作所
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998295348
Publication number (International publication number)：1999195909
Application date： Oct. 16, 1998
Publication date： Jul. 21, 1999
Summary：

【要約】【課題】 基板表面に凹凸を有する誘電体基板上に薄膜多層電極を形成する場合でも、基板表面の凹凸の影響を受けることなく薄膜多層電極を構成する各膜が平坦に形成され、また各薄膜導体層同士が短絡しない薄膜多層電極を提供する。【解決手段】 誘電体基板上に配置され薄膜導体層と薄膜誘電体層とが交互に積層されて構成される薄膜多層電極において、前記誘電体基板の表面付近に位置する薄膜誘電体層に関して、誘電体基板の有する凹凸を吸収する程度にその膜厚を厚く形成するとともに、その薄膜誘電体層を所定の式から導かれる比誘電率を有する誘電体材料で形成する。

Claim (excerpt)：

一方主面に接地導体の形成された誘電体基板の他方主面上に配置され、複数の薄膜導体層と薄膜誘電体層とが交互に積層されて構成される薄膜多層電極において、前記接地導体と、前記誘電体基板と、前記誘電体基板に接して設けられている一層目の前記薄膜導体層とにより主伝送線路が構成され、前記薄膜誘電体層と、その薄膜誘電体層を挟んでいる一対の薄膜導体層とにより副伝送線路が構成され、前記主伝送線路と前記副伝送線路を伝搬するそれぞれの高周波の位相速度が実質的に一致するように各薄膜誘電体層の膜厚と誘電率が設定されており、それぞれ隣接し合う主伝送線路と副伝送線路間および各副伝送線路間で、互いに電磁界が結合するように、各薄膜導体層の膜厚が動作周波数における表皮深さよりも薄く設定されており、前記誘電体基板の基板表面に最も近い薄膜誘電体層の膜厚を、他の薄膜誘電体層の膜厚よりも厚く形成したことを特徴とする薄膜多層電極。

IPC (5)：

H01P 3/18 ,  H01P 1/203 ,  H01P 3/08 ,  H01P 7/08 ,  H01P 11/00

FI (5)：

H01P 3/18 ,  H01P 1/203 ,  H01P 3/08 ,  H01P 7/08 ,  H01P 11/00 G

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 高周波共振器の共振周波数調整方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-000626   Applicant：株式会社村田製作所
• 多層基板
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-111961   Applicant：太陽誘電株式会社