ダイヤモンドの合成法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：上代哲司 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993017399
Publication number (International publication number)：1994227895
Application date： Feb. 04, 1993
Publication date： Aug. 16, 1994
Summary：

【要約】【目的】気相合成法により、均質かつ良質の大面積厚膜ダイヤモンド層を得る。【構成】単結晶基板の温度を1050°C以上1400°C以下に保ってダイヤモンドを気相合成する。成長面の方位は{100}面または{100}から10度以内のずれであることが好ましい。【効果】大型かつ大面積のダイヤモンドは精密工具刃先、耐摩工具、耐熱工具、半導体基材、放熱基板、高圧相半導体材料、光学材料、音響振動板などに幅広く用いることができる。

Claim (excerpt)：

ダイヤモンド単結晶基板上に気相からダイヤモンドを合成する方法であって、少なくとも基板温度を1050°C以上1400°C以下としてエピタキシャル成長させる工程を含むことを特長とするダイヤモンドの合成法。

IPC (6)：

C30B 29/04 , C23C 16/26 , C23C 16/46 , C30B 25/02 , C30B 25/20 , H01L 21/205

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (14)

特開昭63-085095
特開平3-141198
特開平4-132687

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