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J-GLOBAL ID：200903033279778945

窒化物半導体素子

Inventor：
尺田 幸男

About 尺田 幸男


Applicant, Patent owner：
ローム株式会社

About ローム株式会社


Agent (4)： 三好 秀和 ,  寺山 啓進 ,  三好 広之 ,  伊藤 市太郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2007315204
Publication number (International publication number)：2009141085
Application date： Dec. 05, 2007
Publication date： Jun. 25, 2009
Summary：
【課題】格子欠陥が集中する領域を極力小さくし、どのようなデバイスにも適用できるようにした窒化物半導体素子を提供する。【解決手段】成長用基板1上に選択成長用マスク11及びAlNバッファ層2が形成され、さらにノンドープGaN層3、n型GaN層4、MQW活性層5、p型GaN層6が順に積層されている。成長用基板1上に形成される選択成長用マスク11は、円形状又は多角形状の形状を有しており、選択成長用マスク11の周囲が成長用基板1で囲まれた島状に複数形成されている。このようにすることで、格子欠陥が集中する領域を極力小さくすることができる。【選択図】 図1
Claim (excerpt)：
成長用基板上に円形状又は多角形状の選択成長用マスクを、該選択成長用マスクの周囲が前記成長用基板で囲まれた島状に複数形成し、GaN系半導体結晶が前記選択成長用マスクを覆うように形成したことを特徴とする窒化物半導体素子。
IPC (5)：
H01L 33/00 ,  C30B 29/38 ,  C30B 25/04 ,  C23C 16/34 ,  H01L 21/205
FI (5)：
H01L33/00 C ,  C30B29/38 D ,  C30B25/04 ,  C23C16/34 ,  H01L21/205
F-Term (44)：
4G077AA03 ,  4G077BE15 ,  4G077DB08 ,  4G077EE07 ,  4G077EF03 ,  4G077HA02 ,  4G077HA12 ,  4G077TA04 ,  4G077TB05 ,  4G077TC13 ,  4G077TK04 ,  4G077TK08 ,  4K030AA11 ,  4K030AA13 ,  4K030BA08 ,  4K030BA38 ,  4K030BB02 ,  4K030BB14 ,  4K030FA10 ,  4K030JA10 ,  4K030LA14 ,  5F041AA41 ,  5F041CA05 ,  5F041CA40 ,  5F041CA65 ,  5F041CA74 ,  5F045AA04 ,  5F045AB09 ,  5F045AB14 ,  5F045AB18 ,  5F045AC08 ,  5F045AC09 ,  5F045AC12 ,  5F045AD11 ,  5F045AD12 ,  5F045AD13 ,  5F045AD14 ,  5F045AF09 ,  5F045BB12 ,  5F045CA10 ,  5F045CA11 ,  5F045DA53 ,  5F045DA55 ,  5F045DB02
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (1)

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