半導体装置及びその製造方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：野河信太郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994124011
Publication number (International publication number)：1995335753
Application date： Jun. 06, 1994
Publication date： Dec. 22, 1995
Summary：

【要約】【目的】多層配線のために配線層間の層間絶縁膜を平坦化すること。【構成】第1配線層5を有する半導体基板1に、シリコン窒化膜4及び第1シリコン酸化膜7をこの順で成膜する工程、該第1シリコン酸化膜7上にテトラエチルオルソシリケート、シロキサン或いはジシラザンを原料として常圧CVDにより第2シリコン酸化膜10を堆積する工程、該第2シリコン酸化膜10上に第2配線層9を形成する工程を含むことからなる半導体装置の製造方法と、この製造方法により製造される半導体装置。

Claim (excerpt)：

第1配線層を有する半導体基板に、シリコン窒化膜及び第1シリコン酸化膜をこの順で有し、該第1シリコン酸化膜上にテトラエチルオルソシリケート、シロキサン或いはジシラザンを原料とする常圧CVDにより形成された第2シリコン酸化膜を有し、該第2シリコン酸化膜上に第2配線層を有することを特徴とする半導体装置。

IPC (4)：

H01L 21/768 , H01L 21/316 , H01L 21/318 , H01L 21/3205

FI (2)：

H01L 21/90 M , H01L 21/88 K

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-252814 Applicant：川崎製鉄株式会社
半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-027516 Applicant：日本電信電話株式会社
特開昭63-207168

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