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J-GLOBAL ID:200903033321973028

高エネルギー・イオンビームを用いたポリマーの加工方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (3): 稲葉 良幸 ,  田中 克郎 ,  大賀 眞司
Gazette classification:公表公報
Application number (International application number):2003507632
Publication number (International publication number):2004530774
Application date: Jun. 21, 2002
Publication date: Oct. 07, 2004
Summary:
本方法は、ポリマーの加工方法に関し、特にポリテトラフルオロエチレンなどのフッ素含有ポリマーを、高エネルギーイオンビームを用いて加工する方法であって、少なくとも一部のイオンは高い線エネルギー付与(LET)イオンである方法に関する。本発明によって、非常に深い高アスペクト比のマイクロフィーチャを製造することができる。本方法は、メゾスコピックおよびマクロスコピック(標準的)なスケールで用いても良い。アスペクト比およびエッチレートが非常に高いので、加工すべきコンポーネントは、比較的大きな寸法(通常、少なくとも数mm厚)であっても良い。本方法は直接書き込み方法であるが、それでもなお、大量パラレルプロセシングのためにマスクを用いても良い。本方法は、レジスト層を使う必要がない。本方法は、シンクロトロンX線リソグラフィなどの代替的な方法に比べて、安価で速い。
Claim (excerpt):
フッ素含有ポリマーの加工方法であって、 (i)フッ素含有ポリマーを含む被加工体を用意する工程と、 (ii)イオンビームを発生させる工程と、 (iii)前記被加工体の少なくとも一部分を前記イオンビームに暴露する工程であって、前記部分に衝突するイオンの少なくとも一部が高い線エネルギー付与(LET)イオンである工程と、を含む方法。
IPC (1):
C08J7/00
FI (2):
C08J7/00 302 ,  C08J7/00
F-Term (11):
4F073AA32 ,  4F073BA15 ,  4F073BA16 ,  4F073CA51 ,  4F073CA62 ,  4F073CA63 ,  4F073CA65 ,  4F073HA03 ,  4F073HA11 ,  4F073HA12 ,  4F073HA15
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (7)
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