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J-GLOBAL ID：200903033382841299

ダイヤモンド電界効果トランジスタ及びその製造方法

Inventor： 林 和志 ,  横田 嘉宏 ,  福本 吉人 ,  平野 貴之 ,  鈴木 康平 ,  木下 隆
Applicant, Patent owner： 株式会社神戸製鋼所
Agent (1)： 藤巻 正憲
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998288012
Publication number (International publication number)：2000114523
Application date： Oct. 09, 1998
Publication date： Apr. 21, 2000
Summary：

【要約】【課題】 ダイヤモンド薄膜を使用して高出力で、高周波特性が優れた電界効果トランジスタ及びその製造方法を提供する。【解決手段】 比抵抗102Ω・cm以上の高抵抗ダイヤモンド層10の上にゲート電極部が配置され、その両側にソース及びドレイン電極部が配置される。ソース及びドレイン電極部は、高抵抗ダイヤモンド層10の上にキャリアの伝導が金属的である程度のドーピング濃度を持つ低抵抗のダイヤモンド層11と、オーミック接触性のソース電極及びドレイン電極層12と、絶縁膜13とが順次積層された後、一回のフォトリソグラフィにより順次エッチングされて形成されている。

Claim (excerpt)：

不純物密度が1016cm-3以下の高抵抗ダイヤモンド層と、この高抵抗ダイヤモンド層の上に形成されたゲート電極部と、前記高抵抗ダイヤモンド層の上の前記ゲート電極部を挟む位置に形成され不純物密度が1019cm-3以上の1対の低抵抗ダイヤモンド層と、前記低抵抗ダイヤモンド層の上にオーミック接触で夫々形成されたソース電極層及びドレイン電極層と、このソース電極層及びドレイン電極層の上に夫々形成された絶縁膜と、を有することを特徴とするダイヤモンド電界効果トランジスタ。

IPC (4)：

H01L 29/78 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/812

FI (4)：

H01L 29/78 301 B ,  H01L 29/78 301 S ,  H01L 29/78 618 B ,  H01L 29/80 B

F-Term (16)：

5F040DA01 ,  5F040DA05 ,  5F040DC01 ,  5F040EC04 ,  5F040EC08 ,  5F040EC10 ,  5F040ED03 ,  5F040ED04 ,  5F040EH02 ,  5F040FA03 ,  5F040FA04 ,  5F040FA05 ,  5F102GC01 ,  5F102GD10 ,  5F102GJ02 ,  5F102GL02

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開平3-012966
  
• MOSFET及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-142832   Applicant：沖電気工業株式会社
• 特開昭60-251671