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J-GLOBAL ID:200903033415566892

単一電子素子とその製造方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 畑 泰之
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1999154041
Publication number (International publication number):2000349275
Application date: Jun. 01, 1999
Publication date: Dec. 15, 2000
Summary:
【要約】【課題】 動作温度が高く、室温でも動作し均一な特性を持つ単一電子素子を集積化できる程度に大量に、しかも簡便に作製し、更にトンネル接合構造の制御も可能な単一電子素子とその製造方法を提供する。【解決手段】 絶縁基板表面に形成された金属電極間に、一端がシラン基、他の端がチオール基を有する有機分子パターンを形成し、金属微粒子をこの有機分子膜表面に2次元的に分散良く吸着させる製法であって、金属微粒子を再配列させる工程に金属微粒子同士を結びつけるジチオール分子の構造制御、或いは、温度制御を取り入れものである。
Claim (excerpt):
微小トンネル接合を形成した単一電子素子であって、基板上の電極間に、微粒子を堆積し配列させるための自己組織化膜を形成すると共に、前記自己組織化膜の一端はシラン基、他端はチオール基であることを特徴とする単一電子素子。
IPC (3):
H01L 29/66 ,  H01L 29/06 ,  H01L 51/00
FI (3):
H01L 29/66 ,  H01L 29/06 ,  H01L 29/28
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (4)
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