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J-GLOBAL ID：200903033466048217

半導体素子およびその製造方法

Inventor： 本間 荘一 ,  宮田 雅弘 ,  江澤 弘和 ,  吉岡 潤一郎 ,  井上 裕章 ,  徳岡 剛
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝 ,  株式会社荏原製作所
Agent (1)： 須山 佐一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999065419
Publication number (International publication number)：2000260801
Application date： Mar. 11, 1999
Publication date： Sep. 22, 2000
Summary：

【要約】【課題】 鉛フリーのはんだを用いて、信頼性の高い半導体素子およびその製造方法を提供する。【解決手段】 半導体基板と、半導体基板上に形成された配線パッドと、配線パッド上に形成されたバリアメタルと、バリアメタル上に形成されたAg3 Sn金属間化合物と、Ag3 Sn金属間化合物上に形成された低融点金属からなる突起電極とを具備する半導体素子およびその製造方法。

Claim (excerpt)：

半導体基板と、前記半導体基板上に形成された配線パッドと、前記配線パッド上に形成されたバリアメタルと、前記バリアメタル上に形成されたAg3 Sn金属間化合物と、前記Ag3 Sn金属間化合物上に形成された低融点金属からなる突起電極とを具備することを特徴とする半導体素子。

IPC (2)：

H01L 21/60 ,  H01L 21/3205

FI (6)：

H01L 21/92 603 E ,  H01L 21/88 T ,  H01L 21/88 R ,  H01L 21/92 602 H ,  H01L 21/92 604 C ,  H01L 21/92 604 B

F-Term (31)：

5F033HH03 ,  5F033HH07 ,  5F033HH08 ,  5F033HH11 ,  5F033HH13 ,  5F033HH14 ,  5F033HH17 ,  5F033HH18 ,  5F033HH19 ,  5F033HH21 ,  5F033HH32 ,  5F033HH33 ,  5F033MM08 ,  5F033MM13 ,  5F033MM17 ,  5F033MM21 ,  5F033PP15 ,  5F033PP19 ,  5F033PP26 ,  5F033QQ08 ,  5F033QQ19 ,  5F033QQ73 ,  5F033QQ75 ,  5F033QQ84 ,  5F033RR04 ,  5F033RR21 ,  5F033RR23 ,  5F033SS22 ,  5F033VV07 ,  5F033VV12 ,  5F033XX00

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 半導体メモリ装置及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-174426   Applicant：東芝マイクロエレクトロニクス株式会社, 株式会社東芝
• はんだバンプ、その形成方法及びはんだバンプ形成体
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-020652   Applicant：株式会社東芝