半導体装置およびその製造方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：小池晃 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995014688
Publication number (International publication number)：1996213343
Application date： Jan. 31, 1995
Publication date： Aug. 20, 1996
Summary：

【要約】【構成】 Si基板1に臨むコンタクト・ホール3が開口されてなるウェハに対して、TiCl4 とH2 との混合ガスを用いたプラズマCVDを行うに際し、TiCl4 に由来する反応種のSi基板1への吸着反応よりもH2 に由来する反応種のSi基板1への吸着反応の方が優先するごとくH2 を大過剰とすることにより、TiCl4 に比してH2 によるClの脱離が容易であるTiCl2 * の生成を促進させ、Cl含有量が1重量%以下のTi薄膜5を成膜する。【効果】 Si基板1にダメージを与えることなく、ウェハ周辺部のコンタクト・ホール3内にも均一な膜厚にてTi薄膜5を成膜することができるため、優れたカバレージ、低抵抗のオーミック・コンタクト、低リーク電流のバリヤメタルとすることができる。また、この上に設けられる配線材料層の信頼性も確保することができるため、デバイスの信頼性が大幅に向上する。

Claim (excerpt)：

シリコン系材料層の表面に高融点金属薄膜および/または高融点金属シリサイド薄膜が積層されてなる積層構造部を有する半導体装置において、前記高融点金属薄膜および/または高融点金属シリサイド薄膜中のハロゲン含有量が1重量%以下であることを特徴とする半導体装置。

IPC (7)：

H01L 21/28 301 , H01L 21/28 , C23C 16/14 , C23C 16/50 , H01L 21/285 , H01L 21/3213 , H01L 21/3205

FI (2)：

H01L 21/88 D , H01L 21/88 Q

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

特開平4-162674
コンタクトホールのプラグ形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-052885 Applicant：ソニー株式会社
半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-004189 Applicant：川崎製鉄株式会社

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