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J-GLOBAL ID：200903033500332299

半導体装置及び複合酸化物薄膜の製造方法

Inventor：
間部 謙三

About 間部 謙三


Applicant, Patent owner：
日本電気株式会社

About 日本電気株式会社


Agent (1)： 金田 暢之 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999245491
Publication number (International publication number)：2001077108
Application date： Aug. 31, 1999
Publication date： Mar. 23, 2001
Summary：
【要約】【課題】 ゲート長0.05μm世代の半導体トランジスタのゲート絶縁膜及びゲート長0.13μm世代の半導体メモリの容量絶縁膜等に用いて好適な複合酸化物結晶薄膜を含む半導体装置、及び複合酸化物薄膜の製造方法を提供する。【解決手段】 半導体装置に、タンタル-タングステン複合酸化物結晶薄膜、タンタル-モリブデン複合酸化物結晶薄膜、またはそれらにシリコン酸化膜、シリコン酸窒化膜、シリコン窒化膜のいずれかを積層した積層膜からなる絶縁膜を用いる。タンタル-タングステン複合酸化物薄膜は、混合されたタンタルを含む第1の原料ガス、タングステンを含む第2の原料ガス、及び酸化剤の雰囲気中で基板上に成膜する。タンタル-タングステン複合酸化物結晶薄膜及びタンタル-モリブデン複合酸化物結晶薄膜の高誘電率化のために(001)配向のRu基板上に複合酸化物結晶薄膜を成膜し、N2Oプラズマ中で熱処理し、急速熱窒化する。
Claim (excerpt)：
絶縁膜にタンタル-タングステン複合酸化物結晶薄膜を含む半導体装置。
IPC (10)：
H01L 21/316 ,  C01G 41/00 ,  H01B 3/00 ,  H01B 3/12 312 ,  H01L 21/203 ,  H01L 21/283 ,  H01L 21/31 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 29/78
FI (15)：
H01L 21/316 X ,  H01L 21/316 M ,  H01L 21/316 P ,  H01L 21/316 S ,  H01L 21/316 T ,  H01L 21/316 Y ,  C01G 41/00 A ,  H01B 3/00 F ,  H01B 3/12 312 ,  H01L 21/203 S ,  H01L 21/283 C ,  H01L 21/31 B ,  H01L 27/10 651 ,  H01L 27/10 671 Z ,  H01L 29/78 301 G
F-Term (122)：
4G048AA03 ,  4G048AB01 ,  4G048AC08 ,  4G048AD02 ,  4G048AE05 ,  4M104BB04 ,  4M104BB06 ,  4M104BB30 ,  4M104CC05 ,  4M104DD03 ,  4M104DD42 ,  4M104DD44 ,  4M104DD45 ,  4M104DD79 ,  4M104EE03 ,  4M104EE16 ,  4M104EE17 ,  4M104FF16 ,  4M104GG16 ,  4M104HH20 ,  5F040EC01 ,  5F040EC04 ,  5F040EC12 ,  5F040ED01 ,  5F040ED03 ,  5F040ED04 ,  5F040ED05 ,  5F040EF02 ,  5F040EK05 ,  5F040EL02 ,  5F040FA02 ,  5F040FB02 ,  5F040FC01 ,  5F040FC10 ,  5F040FC28 ,  5F045AA06 ,  5F045AB31 ,  5F045AC08 ,  5F045AC09 ,  5F045AC11 ,  5F045AC16 ,  5F045AD07 ,  5F045AD08 ,  5F045AD09 ,  5F045AD10 ,  5F045AD11 ,  5F045AE19 ,  5F045AF03 ,  5F045AF08 ,  5F045BB16 ,  5F045CA05 ,  5F045CA15 ,  5F045DC51 ,  5F045DC63 ,  5F045DP03 ,  5F045EK01 ,  5F045HA16 ,  5F058BA09 ,  5F058BA11 ,  5F058BA20 ,  5F058BC03 ,  5F058BC04 ,  5F058BD01 ,  5F058BD04 ,  5F058BD05 ,  5F058BD06 ,  5F058BD10 ,  5F058BD15 ,  5F058BF04 ,  5F058BF22 ,  5F058BF29 ,  5F058BF55 ,  5F058BF59 ,  5F058BF62 ,  5F058BF71 ,  5F058BF78 ,  5F058BH01 ,  5F058BH03 ,  5F058BH16 ,  5F058BJ02 ,  5F083AD21 ,  5F083AD49 ,  5F083JA05 ,  5F083JA06 ,  5F083JA19 ,  5F083JA35 ,  5F083JA37 ,  5F083JA38 ,  5F083JA40 ,  5F083JA43 ,  5F083JA45 ,  5F083JA53 ,  5F083JA56 ,  5F083MA06 ,  5F083MA17 ,  5F083PR03 ,  5F083PR16 ,  5F083PR21 ,  5F083PR22 ,  5F083PR33 ,  5F083PR34 ,  5F083PR40 ,  5F103AA08 ,  5F103BB22 ,  5F103DD27 ,  5F103DD28 ,  5F103GG02 ,  5F103GG03 ,  5F103HH03 ,  5F103LL08 ,  5F103LL14 ,  5F103NN01 ,  5F103PP03 ,  5F103RR05 ,  5G303AA07 ,  5G303AB01 ,  5G303AB06 ,  5G303BA03 ,  5G303CA01 ,  5G303CB33 ,  5G303CB37 ,  5G303CB43
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (4)
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