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J-GLOBAL ID：200903020001554391

層状強誘電体薄膜及びその形成方法、並びに半導体メモリセル用キャパシタ及びその作製方法

Inventor： 田中 均洋 ,  香取 健二 ,  渡部 浩司
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 山本 孝久
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996341305
Publication number (International publication number)：1998189894
Application date： Dec. 20, 1996
Publication date： Jul. 21, 1998
Summary：

【要約】【課題】少ない熱負荷で優れた結晶性を有する層状強誘電体薄膜を形成する方法を提供する。【解決手段】層状強誘電体薄膜の形成方法は、アモルファス相を有する薄膜に所定の温度Tにて熱処理(時間t)を施して、フルオライト類似結晶構造を経由して層状構造強誘電体薄膜を形成する。

Claim (excerpt)：

アモルファス相を有する薄膜に所定の温度にて熱処理を施して、フルオライト類似結晶構造を経由して層状構造を有する強誘電体薄膜を形成することを特徴とする層状強誘電体薄膜の形成方法。

IPC (9)：

H01L 27/108 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 21/316 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 27/10 451 ,  H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792

FI (5)：

H01L 27/10 651 ,  H01L 21/316 Y ,  H01L 27/10 451 ,  H01L 27/04 C ,  H01L 29/78 371

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• ビスマス層状化合物の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-074107   Applicant：ソニー株式会社
• 強誘電体結晶薄膜被覆基板、その製造方法及び強誘電体結晶薄膜被覆基板を用いた強誘電体薄膜デバイス
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-350258   Applicant：シャープ株式会社
• ビスマス層状化合物薄膜の形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-060284   Applicant：オリンパス光学工業株式会社