真空処理装置

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：井上俊夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991302486
Publication number (International publication number)：1993114582
Application date： Oct. 22, 1991
Publication date： May. 07, 1993
Summary：

【要約】【目的】半導体ウエハなどに対して真空処理装置自体からの重金属の発生にもとずく汚染を防止すること。【構成】真空室2内に、プラズマ発生用の上部電極5及び下部電極6を設けると共に、真空室2の搬入側及び搬出側に夫々ロ-ドロック室3、4を設置する。真空室2及びロ-ドロック室3、4の壁部材としてアルミニウム板を用い、このアルミニム板に対して陽極酸化処理を行い、次いで例えば130〜140°Cの水蒸気を30分間接触させて封孔処理を行う、このような表面処理をおこなった後アルミニウム板を組み立てて真空室2やロ-ドロック室3、4を構成する。また電極5、6についてもアルミニウム材を用いて同様な表面処理を行う。

Claim (excerpt)：

アルミニウムの酸化皮膜が内壁面に形成された真空室を備え、この真空室内にて被処理体に対して真空処理を行う装置において、前記真空室の内壁面は、高温の水分に接触することにより封孔処理されていることを特徴とする真空処理装置。

IPC (2)：

H01L 21/302 , C23F 4/00

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

特開平1-189126
真空機器用アルミニウム又はアルミニウム合金材の製造法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-173843 Applicant：三菱アルミニウム株式会社
特開昭63-134693

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