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J-GLOBAL ID：200903033570072006
ITO焼結体及びスパッタリングターゲット
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993199388
Publication number (International publication number)：1995054132
Application date： Aug. 11, 1993
Publication date： Feb. 28, 1995
Summary：
【要約】【目的】【構成】 亜鉛、銅、アンチモン、チタン、ツリウム、リチウム、マグネシウムの1種以上の元素を5〜5000ppm含有する、密度90%〜100%のITO焼結体。【効果】 このITO焼結体からなるスパッタリングターゲットは、高温基板においても低温基板においても極めて低抵抗で高透明な透明導電膜を与え、なおかつその成膜速度が速く、ターゲット表面の粒状生成物もなく、ターゲットの割れ、ターゲットからの破損粒子の飛散りもなく、極めて生産性に優れている。
Claim (excerpt)：
酸化インジウムおよび酸化錫からなるITO焼結体において、亜鉛、銅、アンチモン、チタン、ツリウム、リチウム、マグネシウムから選ばれた1種以上の元素を含有することを特徴とする密度90%〜100%のITO焼結体。
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (7)
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