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J-GLOBAL ID：200903033606441836

超高速・広帯域の光可飽和吸収半導体、それを用いた半導体装置及び導波路型光-光スイッチ

Inventor：
岡本 紘

About 岡本 紘

, 
坂東 弘之

About 坂東 弘之

, 
舛本 泰章

About 舛本 泰章

, 
奥野 剛史

About 奥野 剛史


Applicant, Patent owner：
科学技術振興事業団

About 科学技術振興事業団


Agent (1)： 清水 守
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002141011
Publication number (International publication number)：2003270596
Application date： May. 16, 2002
Publication date： Sep. 25, 2003
Summary：
【要約】【課題】 高速な時間応答特性を持ち、かつ広い波長帯で動作可能な超高速・広帯域の光可飽和吸収半導体、それを用いた半導体装置及び導波路型光-光スイッチを提供する。【解決手段】 半導体基板上に製作した半導体薄膜結晶であって、その結晶成長条件として成長温度が150°C〜450°Cの範囲であり、V族元素とIII 族元素のビーム強度比V/III が2〜200の範囲であり、Be又はCのドーパントがドープされており、その半導体薄膜結晶の特性としてバンド端波長で吸収飽和の過渡特性において1ps程度の時定数を持つ急峻な応答だけが得られて、その他の緩慢応答は無視できる程度に小さいことを特徴とする。
Claim (excerpt)：
半導体基板上に製作したIII -V族化合物半導体からなる半導体薄膜結晶において、該薄膜結晶の成長条件として成長温度が150°C〜450°Cの範囲であり、V族元素とIII 族元素のビーム強度比V/III が2〜200の範囲であり、Be又はCのドーパントがドープされているという条件で成長されており、該薄膜結晶がそのバンド端波長で吸収飽和の過渡特性において1ps程度の時定数を持つ急峻な応答だけを示し、その他の緩慢応答は無視できる程度に小さいことを特徴とする超高速・広帯域の光可飽和吸収半導体。
IPC (4)：
G02F 1/015 505 ,  G02F 1/025 ,  G02F 1/35 ,  H01S 5/065
FI (4)：
G02F 1/015 505 ,  G02F 1/025 ,  G02F 1/35 ,  H01S 5/065
F-Term (25)：
2H079AA08 ,  2H079AA13 ,  2H079BA01 ,  2H079CA05 ,  2H079DA16 ,  2H079EA03 ,  2H079EA08 ,  2H079EA32 ,  2H079GA04 ,  2H079KA20 ,  2K002AA02 ,  2K002AB09 ,  2K002BA01 ,  2K002CA13 ,  2K002DA11 ,  2K002EA25 ,  2K002HA30 ,  5F073AA83 ,  5F073AB21 ,  5F073AB25 ,  5F073AB27 ,  5F073AB29 ,  5F073DA06 ,  5F073EA14 ,  5F073EA29
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (3)
  • 光半導体装置
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-180522   Applicant：日本電信電話株式会社
  • 雑音フィルターおよびその製造方法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-061680   Applicant：日本電信電話株式会社
  • 光識別再生器
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-225025   Applicant：日本電信電話株式会社
Article cited by the Patent：
Cited by examiner (2)

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