半導体装置の製造方法及び半導体製造装置

Inventor： , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：竹村壽
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998351168
Publication number (International publication number)：2000173958
Application date： Dec. 10, 1998
Publication date： Jun. 23, 2000
Summary：

【要約】【課題】ウェーハをCMP処理する時に使われる研磨布を表面処理し、その表面のスラリーや水に対する濡れ性を向上させる半導体製造装置を提供する。【解決手段】半導体ウェーハをCMP処理に用いられる研磨布11に過酸化水素水、過マンガン酸カリウム、硝酸、亜硝酸、オゾン水、イオン水などの酸化作用を有する薬液や界面活性剤等で表面処理を行い、その表面を親水化する。研磨布表面を親水化することによりそのスラリー及び水に対する濡れ性を向上させることができる。半導体装置の製造方法は、研磨粒子を含むスラリーを供給しながら研磨布により半導体ウェーハ上の成膜をポリッシングするCMP処理工程の後に、研磨布表面を親水性処理する工程を実施する。CMP処理に使用した研磨布を再びCMP処理できるようにドレッサー12を用いてドレッシング処理又はブラッシング処理を行い、この処理中に親水性処理を行うこともできる。

Claim (excerpt)：

研磨粒子を含むスラリーを供給しながら研磨布により半導体ウェーハ上の成膜をポリッシングするCMP処理工程と、前記研磨布表面を親水性処理する工程を具備したことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (2)：

H01L 21/304 622 , H01L 21/304

FI (2)：

H01L 21/304 622 F , H01L 21/304 622 M

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

特開昭52-115169
半導体装置の製造方法及び半導体製造装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-084860 Applicant：株式会社東芝
半導体基板用研磨パッド
Gazette classification：公表公報 Application number：特願2000-558956 Applicant：キャボットマイクロエレクトロニクスコーポレイション

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