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J-GLOBAL ID：200903033652492569

半導体装置及びその作製方法

Inventor： 中嶋 節男
Applicant, Patent owner： 株式会社半導体エネルギー研究所
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001065813
Publication number (International publication number)：2001326364
Application date： Mar. 08, 2001
Publication date： Nov. 22, 2001
Summary：

【要約】【課題】 薄膜トランジスタにおいて、非晶質シリコン膜の結晶化を助長する金属元素を効果的に除去するとともに、生産性の向上を目指す。【解決手段】 ソース、ドレイン領域に達するコンタクトホールを通じて、リンなどの15族元素を含有したシリコン膜を利用することにより、非晶質シリコンの結晶化を助長する金属元素を効果的に除去あるいは低減させ、生産性の向上を図ることができる。

Claim (excerpt)：

絶縁表面上にソース領域、ドレイン領域、および前記ソース領域と前記ドレイン領域との間のチャネル形成領域を有する結晶性シリコン膜と、前記結晶性シリコン膜上にゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上にゲート電極と、前記ゲート電極上に層間絶縁膜と、前記層間絶縁膜上に周期表15族に属する不純物元素を含有したシリコン膜と、前記周期表15族に属する不純物元素を含有したシリコン膜上に導電層とを有する半導体装置において、前記周期表15族に属する不純物元素を含有するシリコン膜は前記層間絶縁膜につくられたコンタクトホールで前記ソース領域または前記ドレイン領域と接し、かつ前記周期表15族に属する不純物元素を含有するシリコン膜は前記結晶性シリコン膜の形成に要した金属元素が偏析していることを特徴とする半導体装置。

IPC (4)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  G02F 1/1368 ,  H01L 21/322

FI (5)：

G02F 1/1368 ,  H01L 21/322 R ,  H01L 29/78 627 Z ,  H01L 29/78 616 V ,  H01L 29/78 627 G

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 半導体装置の作製方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-163062   Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所