半導体装置の作製方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998163062
Publication number (International publication number)：1999354448
Application date： Jun. 11, 1998
Publication date： Dec. 24, 1999
Summary：

【要約】【課題】結晶性及び均一性の高いポリシリコン膜中から結晶化に要した触媒元素を効果的に除去するための手段を提供する。【解決手段】結晶化工程終了後、マスク104及びニッケル添加領域106の表面近傍をフッ酸処理で洗浄する。その後、ニッケル添加領域106上に薄い酸化シリコン膜108を形成して、その上にN型導電性を有するアモルファスシリコン膜109を形成する。ゲッタリング工程が終了したら、N型導電性を有するアモルファスシリコン膜109のみを選択的に除去するが、その際、薄い酸化シリコン膜109がエッチングストッパーとして機能する。

Claim (excerpt)：

絶縁表面を有する基板上に形成されたアモルファスシリコン膜上に開口部を有するマスクを形成する工程と、シリコンの結晶化を助長する触媒元素を含む溶液をスピンコート法により塗布する工程と、第1の加熱処理を行い、前記アモルファスシリコン膜の一部を結晶化させてポリシリコン膜を形成する工程と、エッチング処理を行い、前記開口部の底部に前記ポリシリコン膜を露呈させる工程と、前記開口部の底部に露呈した前記ポリシリコン膜の表面に酸化シリコン膜を形成する工程と、前記マスク及び前記酸化シリコン膜上にN型導電性を有するアモルファスシリコン膜を形成する工程と、第2の加熱処理を行い、前記N型導電性を有するアモルファスシリコン膜中に前記触媒元素をゲッタリングさせる工程と、前記N型導電性を有するアモルファスシリコン膜を除去する工程と、を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。

IPC (3)：

H01L 21/20 , H01L 29/786 , H01L 21/336

FI (2)：

H01L 21/20 , H01L 29/78 627 G

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (3)

半導体薄膜の作製方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-271703 Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所
結晶成長方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-271223 Applicant：富士通株式会社
半導体作製方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-294633 Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所

Cited by examiner (3)

半導体薄膜の作製方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-271703 Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所
結晶成長方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-271223 Applicant：富士通株式会社
半導体作製方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-294633 Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所

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