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J-GLOBAL ID：200903033660140540

透明導電膜の製造方法及び光起電力素子の製造方法

Inventor： 山本 武志 ,  松見 伸 ,  白玖 久雄
Applicant, Patent owner： 三洋電機株式会社
Agent (1)： 鳥居 洋
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998081422
Publication number (International publication number)：1999284208
Application date： Mar. 27, 1998
Publication date： Oct. 15, 1999
Summary：

【要約】【課題】 この発明は、低温で透明導電膜を形成でき、基板として強化ガラスを直接使用することができる透明導電膜の製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】 この発明の透明導電膜の製造方法は、ガラス基板1上に炭素系材料からなる炭素層領域11...を分散して設け、この上に気相成長法により結晶系透明導電膜2を形成する。

Claim (excerpt)：

基板上に炭素系材料からなる炭素層領域を分散して設け、この上に気相成長法により結晶系透明導電膜を形成することを特徴とする透明導電膜の製造方法。

IPC (3)：

H01L 31/04 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/28 301

FI (3)：

H01L 31/04 M ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/28 301 Z

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 薄膜太陽電池の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-296100   Applicant：富士電機株式会社