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J-GLOBAL ID：200903033661616408

異物検査方法及び異物検査装置

Inventor： 山下 裕之 ,  茂原 廉永 ,  今井 栄治 ,  阿部 茂 ,  神宮 孝広 ,  野口 稔
Applicant, Patent owner： 日立電子エンジニアリング株式会社
Agent (1)： 高橋 浩三
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002234355
Publication number (International publication number)：2004079593
Application date： Aug. 12, 2002
Publication date： Mar. 11, 2004
Summary：

【課題】半導体ウェーハ全体又はチップ単位での異物の検出感度を低下させることなく、虚報の発生を抑制する。【解決手段】レーザー装置10は光ビームを半導体ウェーハ1の表面へ斜めに照射し、光電変換素子20は半導体ウェーハ1の表面で発生した散乱光を受光して画像信号を出力する。処理装置100の画像処理装置120は、隣接するチップ相互の画像信号を比較して、その差分を出力する。係数テーブル132,133は、座標管理装置140からの座標情報を入力して、座標情報に対応付けて格納されている係数を出力する。判定回路131は、予め定められた値に係数テーブル132,133から入力した係数を掛け算して得たしきい値を用いて、異物の判定を行う。予備検査の結果に基づいて係数を変更し、虚報が多く発生した領域の検査では予備検査時よりしきい値を大きくする。【選択図】 図1

Claim (excerpt)：

検査光を被検査物へ照射し、 被検査物の表面で発生した反射光又は散乱光の強度と検査領域内での位置とを検出し、 しきい値を用いて、検出された反射光又は散乱光の強度から被検査物の表面に異物が在るか否かの判定を行う異物検査方法であって、 予備検査を行って、発生した虚報の位置を確認し、 検査領域を予備検査で発生した虚報の密度に応じて複数に分割し、 分割された複数の領域毎に異なるしきい値を用いて、検出された反射光又は散乱光の強度から被検査物の表面に異物が在るか否かの判定を行うことを特徴とする異物検査方法。

IPC (3)：

H01L21/66 ,  G01B11/30 ,  G01N21/956

FI (3)：

H01L21/66 J ,  G01B11/30 A ,  G01N21/956 A

F-Term (46)：

2F065AA49 ,  2F065CC19 ,  2F065FF41 ,  2F065FF67 ,  2F065GG04 ,  2F065HH04 ,  2F065HH12 ,  2F065HH16 ,  2F065HH17 ,  2F065JJ17 ,  2F065MM03 ,  2F065PP12 ,  2F065QQ03 ,  2F065QQ06 ,  2F065QQ08 ,  2F065QQ11 ,  2F065QQ13 ,  2F065QQ23 ,  2F065QQ25 ,  2F065QQ31 ,  2F065RR08 ,  2G051AA51 ,  2G051AB01 ,  2G051AB02 ,  2G051BA10 ,  2G051BB05 ,  2G051CA02 ,  2G051CB01 ,  2G051CB05 ,  2G051DA07 ,  2G051EA04 ,  2G051EA08 ,  2G051EA12 ,  2G051EA14 ,  2G051EA20 ,  2G051EB01 ,  2G051EB02 ,  4M106AA01 ,  4M106AA02 ,  4M106CA41 ,  4M106DB02 ,  4M106DB07 ,  4M106DJ18 ,  4M106DJ19 ,  4M106DJ20 ,  4M106DJ21

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 半導体検査方法および装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-299416   Applicant：株式会社日立製作所
• 欠陥検出方法と欠陥観察方法及び欠陥検出装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-103290   Applicant：株式会社日立製作所