ダイヤモンドのエッチング方法及びその装置

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (1)：池内寛幸 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995069944
Publication number (International publication number)：1996259400
Application date： Mar. 28, 1995
Publication date： Oct. 08, 1996
Summary：

【要約】【目的】加速した複数個の分子または原子を構成粒子とした粒子塊を減圧雰囲気中でダイヤモンドに照射することにより、ダイヤモンドに損傷を与えることなく、容易に効率よくエッチングを行なう方法及びその装置を提供する。【構成】粒子塊生成(4)、イオン化(5)、質量分離(6)、加速(7)などの工程をへて生成された粒子塊1は、所定のエネルギーを持った状態で照射工程(8)でダイヤモンド層2に照射される。照射された粒子塊1はダイヤモンド層2と衝突すると個々の分子または原子に分解し、その運動量(方向・速さ)やエネルギーを変え、ダイヤモンドの表層をスパッタリングする。その結果、ダイヤモンドは効率よくエッチングされると共に、そのエッチング面は平滑となる。ダイヤモンド層2は二酸化シリコン等のマスク材3でマスキングされる。

Claim (excerpt)：

ダイヤモンドをエッチングする方法であって、加速した複数個の分子または原子を構成粒子とした粒子塊を減圧雰囲気中でダイヤモンドに照射することを特徴とするダイヤモンドのエッチング方法。

IPC (4)：

C30B 33/12 , C23F 4/00 , C23F 4/02 , C30B 29/04

FI (5)：

C30B 33/12 , C23F 4/00 C , C23F 4/00 E , C23F 4/02 , C30B 29/04 V

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

特開昭64-068484
特開平3-163825
ガスクラスターイオンビームによる超精密研磨加工方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-262910 Applicant：新技術事業団, 安達新産業株式会社

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